首页 >产品中心>
走进粉磨机械的世界,把握前沿动态资讯
2024年1月30日 碳化硅产业链包括上游衬底和外延、 中游器件、 下游应用. ................................................................................................. 4. 2. 衬底: 产业链价值量占
了解更多2023年2月1日 衬底和外延成本占比高达70%, 远高于硅基衬底, 导致碳化硅功率器件渗透率较低。. 从最上游的碳粉、 硅粉制备成碳化硅圆晶, 再进行外延, 最后制备成SBD
了解更多6 天之前 当前碳化硅应用面临的其中一大挑战在于成本,此前特斯拉宣布将大幅减少碳化硅用量就被认为有这层考量。但有业内人士向21世纪经济报道记者分析,当前处在产业发
了解更多2024年1月3日 Victor Veliadis:为了使碳化硅这种新技术相对于现有竞品材料——硅,具有成本竞争力,需要大规模应用以实现规模经济的成本降低。 对于碳化硅而言,光伏逆变
了解更多2023年3月23日 碳化硅 (SiC) 行业正在迅速发展,得益于该SiC可以提供高效、高功率、高速开关和紧凑型电力电子解决方案的优点。 在 600 至 1700 V 的商业化 SiC 器件电压范围内,选择宽禁带产品替代传统 Si 产品所提供
了解更多2022年10月9日 碳化硅具有 2 倍于硅的饱和电子漂移速率,使得 碳化硅器件具有极低的导通电阻,导通损耗低;碳化硅具有 3 倍于硅的禁带宽度, 使得碳化硅器件泄漏电流比硅器件大幅减少,从而降低功率损耗;碳化硅
了解更多考虑到系统中不同组件之间的成本分布可能因应用场景而有所不同,由于 SiC 器件的具体成本 ($/cm²),冷却和无源组件方面实现的减小可能不足以补偿更高的芯片成本。 因此,必
了解更多2024年1月28日 碳化硅衬底降本关键:晶体制备技术. 在碳化硅产业链中,衬底部分占据主要价值份额,其在碳化硅器件总成本中的比重可达近50%。. 相较而言,在硅基半导体器件的成本结构中,硅片衬底的占比通常不超过10%。. 这一显著差异的根本原因在于碳化硅单晶材
了解更多2017年12月5日 成本工业化生产技术。 以往的研究中,通常采用Acheson 法生产的碳化硅块体制备陶瓷烧结所需的亚微米粉末,这一 方法需要多道工序破碎研磨,耗工费时,成本不菲,而自蔓延高温合成 (Self-Propagation High-
了解更多2024年3月27日 表面光洁度高,不耐有机溶剂及腐蚀,轻便,超细样品研磨和混合必选,成本低. 氧化锆球磨罐 耐腐蚀,耐高温,高耐磨,表面光洁度高,综合能力超强,成本高,性价比超高. 氧化铝球磨罐 耐腐蚀,耐高温,破碎能力强,耐磨性一般,成本低. 玛瑙球磨罐
了解更多1、碳化硅引领半导体材料迎来新机遇. 1.1.复盘硅晶圆发展历程,8英寸衬底将成为主流. 1.1.1.12英寸是经济性最佳的硅晶圆尺寸. 大尺寸半导体晶圆成本优势明显,12 英寸晶圆产成品的单位成本较 8 英寸低 50%。. 12 英寸晶圆的面积较 8 英寸晶圆提高 118%左右,可利用
了解更多2024年2月14日 湖州源沁新材料有限公司 产品总监. 碳化硅又称金钢砂或耐火砂,是一种人工合成的无机非金属材料。. 碳化硅工艺流程主要有以下几个步骤:. 1. 原料准备:需要准备硅砂、碳素材料(石油焦、无烟煤等)、石英砂等原料。. 2. 破碎和筛分:将原料进行破碎和 ...
了解更多2023年3月23日 碳化硅成本 预测 PGC Consultancy的SiC成本预测模型的选定标准化结果如下图所示。比试图准确预测未来的设备成本更重要的是,这是一个确定前面讨论的成本驱动因素中哪些可能在未来发挥最大的实际作用降低成本。这是在实际应用中检验200mm衬底的 ...
了解更多六、我厂碳化硅加工部分产品加工工艺流程比较分析. 1、典型0-1mm产品:首先,原料由颚式破碎机进行初步破碎,然后,产成的粗料由皮带输送机输送至对辊破碎机进行进一步破碎,细碎后的原料进入球磨机或锤式破碎机进行精细加工,最后经过振动筛筛分出 ...
了解更多2023年5月4日 碳化硅,是一种无机物,化学式为SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅是一种半导体,在自然界中以极其罕见的矿物莫桑石的形式存在。自1893年以来已经被大规模生产为粉末和晶体,用作磨料等。在C、N、B等非氧化物 ...
了解更多2021年3月25日 碳化硅破碎成本 知乎专栏知乎专栏知乎专栏 碳化硅,究竟贵在哪里? 知乎 由图三可知:(1)由原料支出总体金额来看,该公司的原料支出金额从2018年的3250万元涨到了2021年的199269万元 ...
了解更多2024年2月19日 鉴于其较快的生长速度和高效的生产能力,HTCVD法有望成为生产大尺寸碳化硅晶体的关键技术之一。. 随着技术的进一步发展和优化,HTCVD法预计将在未来的碳化硅单晶生产中扮演越来越重要的角色。. 液相法. 液相法是一种历史悠久的碳化硅(SiC)晶体
了解更多2016年7月28日 红星机器生产的颚式破碎机全部采用的是好的材质加工而成,减少了设备零部件在破碎碳化硅中的摩擦,延长了更换周期,提高了设备的耐磨性能,缩短了设备的停机时间,可以说是非常不错的一款碳化硅
了解更多2021年10月30日 碳化硅单晶生长中废料的回收处理方法与流程. 1.本发明属于碳化硅单晶生长工艺领域,具体涉及碳化硅单晶生长及加工过程中废料的回收处理方法。. 2.碳化硅 (sic)是一种宽禁带、高击穿场强、高电子饱和
了解更多2024年1月30日 碳化硅产业链附加值向上游集中,衬底和外延的成本占比最高。根据CASA整理的数据,产业链中,碳化硅衬底和外延的成本分别占整个器件成本的 47%和 23%,为产业链中价值量最大的两个环节,相比硅基器件、价值量显著倒挂。
了解更多2023年11月22日 过去十年中,碳化硅纤维制造方法取得了重大进展,产生了接近化学计量的小直径纤维,满足大多数陶瓷基复合材料(CMC) 和核应用的性能要求。然而,制造成本仍然高得令人望而却步,阻碍了它在需要更低成本的不同应用中的使用。碳化硅 (SiC) 纤维增强 CMC 的成本主要是 SiC 纤维的成本,占成品零件 ...
了解更多2024年2月18日 2月6日,河南电子半导体产业园传出好消息:平煤神马集团碳化硅半导体实验室成功生长出全省第一块8英寸碳化硅单晶晶锭,全面验证了中宜创芯公司碳化硅半导体粉体在长晶方面的独特优势。. 平煤神马集团中宜创芯公司是国内最大的碳化硅半导体粉体研发
了解更多2023年2月1日 碳化硅、氮化镓材料的饱和电子漂移速率分别是硅的2.0、2.5倍,因 此碳化硅、氮化镓器件的工作频率大于传统的硅器件。然而,氮化镓材料存在耐热性能较差的缺点,而碳化硅的耐热性和导热性都较好,可以弥补氮化镓器件耐热性较
了解更多2024年1月24日 疯狂的碳化硅,国内狂追!. 近几日,英飞凌在碳化硅合作与汽车半导体方面合作动态频频,再度引起业界对碳化硅材料关注。. 1月23日,英飞凌与Wolfspeed宣布扩大并延伸现有的长期150mm碳化硅晶圆供应协议(原先的协议签定于2018年2月)。. 延伸后的
了解更多2022年11月3日 碳化硅球脱氧剂主成份有效利用碳化硅粉,使碳化硅粉得到充分的利用,且利用成本低廉,但生产出的每吨碳化硅球脱氧剂比同类碳化硅脱氧剂节约2000元。如用于炼钢过程,可使年产500万吨的钢铁生产企业节约成本3000万元以上。
了解更多2024年1月12日 碳化硅产业链图谱. 生产工艺流程及周期. 碳化硅生产流程主要涉及以下过程:. 1)单晶生长,以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料形成碳化硅晶体;2)衬底环节,碳化硅晶体经过切割、研磨、抛光、清洗等工序加工形成单晶薄片,也即半导体衬底材料;. 3)外
了解更多六、我厂碳化硅加工部分产品加工工艺流程比较分析. 1、典型 0-1mm 产品: 首先,原料由 颚式破 碎机进行初步破碎,然后,产成的粗料由皮带输送 机输送至 对辊破 碎机进行进一步破碎,细碎后的原料进入球磨机或锤式破碎机进行精细加工, 最 后经过振动筛 ...
了解更多