首页 >产品中心>
首页 >产品中心>
走进粉磨机械的世界，把握前沿动态资讯
6 天之前 采用碳化硅的器件具有耐高温、耐高压、大功率，还可以提高能量转换效率并减小产品体积等特点。. 这样的产品基础上游材料，必然会收到下游市场的大量采用。. 碳化
了解更多
2023年1月15日 背景与意义. 作为半导体产业中的衬底材料，碳化硅单晶具有优异的热、电性能，在高温、高频、大功率、抗辐射集成电子器件领域有着广泛的应用前景。 碳化硅
了解更多
2022年1月22日 碳化硅晶片以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料，采用物理气相传输法（PVT）生长碳化硅单晶，再在衬底上使用化学气相沉积法（CVD法）等生成外延片，
了解更多
2022年1月24日 01. 碳化硅晶片生产工艺流程. 碳化硅晶片生产流程. 碳化硅晶片以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料，采用物理气相传输法（PVT）生长碳化硅单晶，再在衬底上使用
了解更多
2021年7月14日 碳化硅（SiC）晶体是一种性能优异的宽禁带半导体材料，在发光器件、电力电子器件、射频微波器件制备等领域具有广泛的应用。 但其晶体生长极其困难，只有
了解更多
2023年12月1日 化腐朽为神奇，碳化硅衬底的加工主要分为以下几个工序： 切割是将SiC晶棒沿着一定的方向切割成晶体薄片的过程。 将SiC晶棒切成翘曲度小，厚度均匀的晶片，
了解更多
碳化硅 (SiC)作为最具代表性的第三代宽禁带半导体材料,具有宽带隙,高临界击穿电场,高热导率,高载流子饱和迁移速度,低相对介电常数和耐高温等特点,被认为是用作高温和高频光电
了解更多
2021年8月4日 碳化硅芯片这样制造 新材料，“芯”未来！碳化硅芯片，取代传统硅基芯片，可以有效提高工作效率、降低能量损耗，减少碳排放，提高系统可靠性，缩减体积、节约空间。以电动汽车为例，采用碳化硅芯
了解更多
2022年10月10日 碳化硅单晶具有极高的硬度和脆性，传统加工方式已经不能有效地获得具有超高光滑表面的碳化硅晶片。针对碳化硅单晶衬底加工技术，本文综述了碳化硅单晶切片、薄化与抛光工艺段的研究现状，分析
了解更多
2024年2月21日 硅面是指碳化硅晶片的 (0001)晶面，即晶体沿着c轴的正方向切割的表面，该表面的终止原子是硅原子。. C面和硅面的不同会影响碳化硅晶片的物理性能和电学性能，如热导率、电导率、载流子迁移率、界面态密度等。. C面和硅面的选择也会影响碳化硅器
了解更多
2023年4月28日 碳化硅衬底的加工主要分为以下几个工序，切割，粗磨，精磨，粗抛，精抛（CMP）。 1.切割 切割是将SiC晶棒沿着一定的方向切割成晶体薄片的过程。将SiC晶棒切成翘曲度小，厚度均匀的晶片，目前常规的切割方式是多线砂浆切割 2.研磨 研磨工艺是去除切割
了解更多
2022年4月2日 碳化硅晶片的超精密加工，按照其加工顺序，主要经历以下几个过程：切割、研磨、粗抛和超精密抛光四个步骤。 第一步：切割 切割是将碳化硅晶棒沿着一定的方向切割成晶体薄片的过程。将碳化硅晶棒切割成翘曲度小、厚度均匀、低切损的 ...
了解更多
2023年12月1日 该工艺采用铸铁盘与单晶金刚石研磨液进行双面研磨。. 其有效去除线切割产生的损伤层，修复表面形态，降低TTV、Bow、Warp，并具有稳定的去除速率，一般达到0.8-1.2um/min。. 精磨. 该工艺采用聚氨酯发泡Pad与多晶金刚石研磨液进行双面研磨。. 加工后的晶片表面 ...
了解更多
1.1 晶片倒角目的. SiC晶片倒角是把切割好的晶片边缘磨削成指定的形状，防止在后续加工过程中晶片边缘出现裂纹、崩边及晶格缺陷的产生等[1]，提高晶片的机械强度和可加工性[2]。. 在后续工艺中，如果晶片不被倒角，在研磨和清洗工艺中，通过游轮和超声波 ...
了解更多
2024年2月2日 在碳化硅芯片的制作过程中，背面镀金处理是必要的步骤。 然而，传统的机械磨削式工艺方法存在一些不足，如加工效率低、耗材量大等。 激光加工作为一种无接触式加工方式，具有高效率、高质量的优点，逐渐成为背金去除和切割分片工艺的新选择。
了解更多
2023年1月13日 受加工技术的制约，目前高表面质量碳化硅晶片的加工效率极低。. 碳化硅单晶的加工过程主要分为切片、薄化和抛光。. 全球碳化硅制造加工技术和产业尚未成熟，在一定程度上限制了碳化硅器件市场的发展，要充分实现碳化硅衬底的优异性能，开发高表面质
了解更多
2022年2月19日 此外，晶片尺寸越大，对应晶体的生长与加工技术难度越大，而下游器件的制造效率越高、单位成本越低。 目前国际碳化硅晶片厂商主要提供4英寸至6英寸碳化硅晶片，Wolfspeed、II-VI等国际龙头企业已开始投资建设8英寸碳化硅晶片生产线。
了解更多
2018年12月19日 本发明提供一种碳化硅晶片的定位边加工方法，可提升良率。本发明的碳化硅晶片具有第一平口与第二平口。第一平口的两端与碳化硅晶片的边缘衔接处分别为第一r角(roundedcorner，又称为“圆角”)，且第一r角的半径为1mm～10mm。
了解更多
2023年4月18日 在碳化硅半导体晶圆的后道制程中，需要进行单个晶圆的标记、切割、分片、封装等步骤，最终成为完整的商用芯片，其中晶圆的标记、切割制程目前已逐渐开始使用激光加工设备来取代传统机械加工设备
了解更多
碳化硅晶片超精密抛光工艺及机理研究. 碳化硅 (SiC)作为最具代表性的第三代宽禁带半导体材料,具有宽带隙,高临界击穿电场,高热导率,高载流子饱和迁移速度,低相对介电常数和耐高温等特点,被认为是用作高温和高频光电子器件的理想材料.由于SiC晶片表面的质量 ...
了解更多
2018年1月12日 碳化硅晶片及其定位边加工方法. 本发明提出一种碳化硅晶片及其定位边加工方法.所述碳化硅晶片具有第一平口与第二平口.第一平口的两端与碳化硅晶片的边缘衔接处分别为第一R角,且第一R角的半径为1mm～10mm.第二平口的两端与碳化硅晶片的边缘衔接处
了解更多
2022年10月9日 摘 要: 碳化硅单晶具有极高的硬度和脆性，传统加工方式已经不能有效地获得具有超高光滑表面的碳化 硅晶片。针对碳化硅单晶衬底加工技术，本文综述了碳化硅单晶切片、薄化与抛光工艺段的研究现状，分析对比了切片、薄化、抛光加工工艺机理，指出了加工过程中的关键影响因素和未来发展趋势。
了解更多
2021年12月9日 针对传统研磨方法加工单晶碳化硅晶片存在的材料去除率低、磨料易团聚等问题，本文提出超声振动辅助研磨方法，并探究不同工艺参数（转速、磨料质量分数、抛光压力、磨料粒径）对单晶碳化硅晶片研磨效率和表面质量的影响规律。试验结果和理论分析表明：超声振动有效提高了单晶碳化硅晶片 ...
了解更多
2023年5月30日 本文中对碳化硅衬底晶片进行了超精密化学 抛光工艺，分析了抛光头转速、抛光压力及抛光时 长对碳化硅晶片表面粗糙度的影响，结果显示，抛光头转速的增加和抛光压力的减小有利于改善晶片 表面粗糙度，增大抛光时长可以进一步改善晶片质 量，最终确定
了解更多
碳化硅晶片及其定位边加工方法. 技术领域 [0001] 本发明涉及一种碳化硅 (SiC)晶片加工技术，尤其涉及一种碳化硅晶片及其定位 边加工方法。. 背景技术 [0002] 与传统半导体硅晶片相比 ，碳化硅晶片因为具有较宽的能隙与高温稳定性等特 性，所以目前在高温 ...
了解更多
2023年10月27日 传统硅基类90%采用砂轮切割；碳化硅作为第三代半导体材料，主要用于功率器件芯片以及射频芯片器件的制造，生产、加工难度较大，采用传统砂轮切割工艺，材料耗损高，产出率、良率、切割效率均存在一定问题，因此基本采用激光切割。
了解更多
2023年5月18日 1）加工效率较低，碳化硅晶锭长度较短，使用多线切割技术需要先将多个晶锭进行拼接，降低了加工效率；. 2）材料损耗率高，加工过程中切割线会将部分碳化硅材料削磨成碎屑从而产生锯口损失，并且高速运动会在表面形成粗糙切痕，材料损耗率高
了解更多